1. 研究目的与意义
在不同的辐射环境中，深亚微米器件内出现的辐射效应也是不一样的。
所以，根据辐射损伤机理类型的差别，空间辐射环境对深亚微米器件的主要作用可以分成两大类1、因为不断辐射聚积诱发的总剂量效应（TID）；2、是因为一个高能粒子电离辐射诱发的单粒子效应（SEE）。
深亚微米器件受到的辐射环境主要有空间辐射环境以及核爆炸环境两类。
2. 课题关键问题和重难点
（1）掌握体硅MOS器件基本结构、原理、特性和表征参数；（2）理解并掌握单粒子辐射效应的基本概念和原理（SEL\SEU\SEGR\SEB等）；（3）掌握MOS器件单粒子辐射效应基本特性及其损伤机理；（4）熟练掌握工艺器件仿真软件Silvaco或sentaurus（器件单粒子辐射模型建立）；（5）采用工艺器件仿真软件Silvaco或sentaurus，对0.13um/65nm节点的MOS器件经行建模，为后续的仿真做准备。
（6）采用工艺器件仿真软件Silvaco或sentaurus，对0.13um/65nm节点的MOS器件进行单粒子辐射效应仿真验证，并总结归纳出其基本规律。
3. 国内外研究现状（文献综述）
与其他半导体器件相比，CMOS 集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点，对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说，CMOS 集成电路是优先选择的器件种类。
随着半导体器件的等比例缩小，辐射效应对器件的影响也在跟着变化。
这些影响包括：栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。
4. 研究方案
（1）采用工艺器件仿真软件Silvaco或sentaurus，对0.13um/65nm节点的MOS器件经行建模，为后续的仿真做准备。
（2）采用工艺器件仿真软件Silvaco或sentaurus，对0.13um/65nm节点的MOS器件经行建模，为后续的仿真做准备。
（3）采用工艺器件仿真软件Silvaco或sentaurus，对0.13um/65nm节点的MOS器件进行单粒子辐射效应仿真验证，并总结归纳出其基本规律。
5. 工作计划
第1周：熟悉实验室环境，为后续课题做准备。
在中国知网中查找并整理与《深亚微米MOS器件的单粒子辐射效应仿真验证》的相关文献第2周：合理利用时间并对日后的毕业设计做规划。
仔细地在导师的指导下完成《深亚微米MOS器件的单粒子辐射效应仿真验证》为主题的开题报告第3-4周：掌握体硅MOS器件基本结构、原理、特性和表征参数；理解并掌握单粒子辐射效应的基本概念和原理（SEL\SEU\SEGR\SEB等）；掌握MOS器件单粒子辐射效应基本特性及其损伤机理；第5-8周：熟练掌握工艺器件仿真软件Silvaco或sentaurus（器件单粒子辐射模型建立）；采用工艺器件仿真软件Silvaco或sentaurus，对0.13um/65nm节点的MOS器件经行建模，为后续的仿真做准备。
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