1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
文献综述1. 前言石墨烯是由面内碳碳共价键结合形成的六边形蜂窝状结构，可以表现出与块状石墨迥异的物理化学性能，例如零带隙半导体特性[1]、极高的载流子迁移率[2]、高透光率[3]、极高的热导率[4]、极高的杨氏模量、断裂强度[5]以及优异的化学稳定性[7]，使其在电子器件[6,7]等领域展现出广泛的应用前景。
但是，由于零带隙的特点，石墨烯制成的电子器件无法满足逻辑电路中的需求[8]，极大的限制了石墨烯实际应用的发展。
虽然，可以利用掺杂、表面功能化等典型的二维材料改性方法，来打开石墨烯的带隙，但是在带隙打开的同时也会改变其能带结构，从而导致电学性能显著变化。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
1.要研究或解决的问题以石墨烯为代表的二维材料因其独特和迷人的物理和化学性质，在电子器件、催化剂、储能和转化等领域显示出广阔的应用前景。
然而，与这些领域相比，二维材料在自旋电子学中的应用进展非常缓慢，本课题将对单层MoSi2N4晶体材料吸附过渡金属原子的特性进行理论预测。
通过构建合理的单层MoSi2N4晶体吸附过渡金属原子的模型，考虑气体分子的吸附位置、吸附距离、吸附能等影响因素，选出结构最稳定的过渡金属原子吸附模型。
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