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1. 研究目的与意义（文献综述）
铁电材料因具有铁电性、压电性、介电性、热释电性、电光性等多重特性，可广泛应用于电容器、谐振器、铁电存储器、声表面波器件、热释电器件等方面，引起了科研人员的关注[1-4]。其中，锆钛酸铅（PbZrxTi1-xO3，PZT）是钙钛矿型铁电材料的典型代表[5]，由于其具有优越的铁电、介电、压电、热释电等特点，成为了研究者的一个研究热点。
早期，受到当时材料制备技术等方面的限制，普遍将PZT制成陶瓷块体材料。而PZT块体材料由于其体积较大，还具有工作频率低、工作电压高、与半导体工艺不兼容等缺点，限制了其进一步的发展。随着电子信息科技的不断发展，微电子技术与薄膜制备技术的突破[6-7]，电子元器件开始向微型化、轻量化、集成化方向发展。薄膜技术的突破推动了PZT材料薄膜化的热潮。PZT材料本身固有的优点使得PZT薄膜在电容器、非挥发性铁电存储器、声表面波器件、微型压电传感器等方面得到了广泛应用，成为材料领域和新型功能元器件领域研究的前沿和热点之一。
然而，PZT铁电薄膜本身存在着一些缺陷。首先，PZT薄膜的介电性能有待提高并且矫顽场较大；其次，PZT铁电薄膜本身的损耗和漏电流较大使得PZT薄膜难于集成在各种器件上。随着材料制备技术的成熟，PZT铁电薄膜引起许多科研工作者的关注，掺杂改性作为改善PZT铁电薄膜的有效手段，可以一定程度改善铁电薄膜的微观结构和电学性能[8-9]。
2. 研究的基本内容与方案
2.1 基本内容
1、不同Nb掺杂浓度的PZT薄膜的制备
采用溶胶-凝胶法制备PZT前驱体溶液，并引入不同浓度的Nb，采用旋涂工艺制备不同Nb掺杂浓度的PZT薄膜。
3. 研究计划与安排
第1－3周：查阅相关文献资料，完成英文翻译。明确研究内容，了解研究所需原料、仪器和设备。确定技术方案，并完成开题报告。
第4－9周：按照设计方案，制备不同Nb5 掺杂浓度PZT薄膜。
第10－12周：对制备的不同Nb5 掺杂浓度PZT薄膜进行结构、形貌和介电性能、介电损耗、电滞回线、漏电流，分析Nb5 掺杂浓度对PZT薄膜结构和电学性能的影响规律。
4. 参考文献（12篇以上）
[1] 殷江, 袁国亮, 刘治国. 铁电材料的研究进展[J]. 中国材料进展, 2012, 31(3):26-38.
[2]翟亚红. 基于PZT的高可靠铁电存储器关键技术研究[D]. 电子科技大学, 2013:
[3] Chanthbouala A, Crassous A, Garcia V, et al. Solid-state memories based on ferroelectric tunnel junctions[J].Nature Nanotechnology,2012,7(2): 101-104.
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